ウェハバンプめっきサービス
～デバイス実装、接合用バンプ加工、試作、評価等対応～
ウェハや基板を選ばない融点60℃～300℃の多種多様な鉛フリーはんだめっき、
φ10μm以下のきわめて微細なはんだバンプ、
線材、コアボール、粉体など微小部品への均一な成膜技術で、
電子機器、半導体製品の試作、トライアルから量産まで強力にバックアップいたします。
ウェハ1枚、部品1ロットから加工を承っております。
ウェハめっき、機能めっきの委託は、ぜひ新菱にお任せください。
φ10μm以下のきわめて微細なはんだバンプ、
線材、コアボール、粉体など微小部品への均一な成膜技術で、
電子機器、半導体製品の試作、トライアルから量産まで強力にバックアップいたします。
ウェハ1枚、部品1ロットから加工を承っております。
ウェハめっき、機能めっきの委託は、ぜひ新菱にお任せください。
新菱のめっき加工の３つの強み
融点60℃～300℃までの
多種類のはんだめっきを
ラインナップ
微小部品へのめっき加工サービス
様々なウェハ、基板への
マイクロバンプめっき実績
通常のSiウェハ以外にも、SiC, GaAs, InP, サファイア等、
また、ウェハ以外の四角形状基板や、FPCへも
めっき、バンプ加工が可能です。
ウェハサイズは2~12inchまで対応可能です。
最小φ3μmのマイクロバンプの形成実績があり、
微細パターンのめっき加工を得意としております。
また、はんだバンプ以外にCuピラーのみの加工、
配線形成などの形状のめっき加工も行うことができます。
半導体パッケージの高機能化、狭ピッチ化、
精密化・微細化に貢献します。
融点60℃～280℃までの
多種類のはんだめっきをラインナップ
低融点から、高融点まで対応した
多種類の鉛フリーはんだのラインナップがございます。
Sn-Bi-In（融点60℃～110℃）を始めとする低融点はんだは、
低温での実装を可能にし、
化合物半導体（Cd-Te）、LEDなどの低耐熱素材の実装、
多層基板の実装（3次元実装）に最適なはんだとなっております。
実装する基材、部品の材質や特性に合わせて、
最適なはんだめっきをお選びいただけます。
多種類の鉛フリーはんだのラインナップがございます。
Sn-Bi-In（融点60℃～110℃）を始めとする低融点はんだは、
低温での実装を可能にし、
化合物半導体（Cd-Te）、LEDなどの低耐熱素材の実装、
多層基板の実装（3次元実装）に最適なはんだとなっております。
実装する基材、部品の材質や特性に合わせて、
最適なはんだめっきをお選びいただけます。
微小部品へのめっき加工
ウェハ（基板）だけでなく、コアボール、Cuピン、
粉体、線材などの微小部品へのめっき加工も行っております。
ボール・粉体で最小粒径40μm、ワイヤで最小線径10μmの
めっき加工の実績があります。
微小部材に均一なめっき被膜を形成し、
導電性やはんだ付性など各種機能を付与することができます。
粉体、線材などの微小部品へのめっき加工も行っております。
ボール・粉体で最小粒径40μm、ワイヤで最小線径10μmの
めっき加工の実績があります。
微小部材に均一なめっき被膜を形成し、
導電性やはんだ付性など各種機能を付与することができます。
ウェハ・基板へのバンプめっき、微細加工、
微小部品めっきについて
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