新菱のウェハバンプめっき
工法のご紹介
新菱のウェハバンプめっき
ー微細加工・バンプ加工に適した電解めっき工法を採用ー
ウェハ・基板へのめっき工法には様々なものがありますが、新菱は電解めっき工法による実装用バンプ形成を最も得意としています。
電解めっき工法は微細加工（φ30μm未満レベルのマイクロバンプ形成）、
厚膜めっき形成（バンプ径：バンプトータル高さが最大１：３の高アスペクト比めっき）において優れ、
3次元実装、半導体デバイスの高集積化、微細化のトレンドに適する工法です。
①シード層形成
・お客様よりお預かりいたしましたウェハに、
スパッタリングによって電解めっきに必要となる
シード層を表面に形成します。
※弊社のシード層標準仕様は、
Ti100nm厚/Cu300nm厚です。
膜種、膜厚の変更についてもご相談に応じております。
※弊社にてウェハをご準備することも可能です。
②フォトリソ
・ウェハ全面にレジストを塗布し、
マスクを用いて露光・現像を行うことで、
めっき加工を行う部分のレジスト開口をします。
※パターン仕様に応じて、アライメントマークが
必要となります。
③めっき工程
・ウェハ外周の給電部から電気を流しながら、
パターン部にめっきを成長させます（電解めっき工法）。
※加工内容に応じて、はんだバンプとシード層の間に
Niバリア等の追加をご相談する場合があります
（金属の拡散を防ぐため）。
※はんだの代わりにAuめっきを行うこともできます。
④レジスト剥離・エッチング
・めっき完了後、レジストとシード層は
薬液を用いて取り除きます。
※ご希望に応じて、レジストパターンを残したまま、
もしくはシード層を残してバンプ全導通状態などでの
納品にも対応しております。
⑤リフロー
・はんだバンプの場合、最後にリフロー装置にて熱を加え、
バンプを球状に成型します。
※リフローを不要とされる場合は、
エッチング完了後の状態での納品も可能です。
めっきのみの部分工程などのご依頼や、
バンプ形状以外に配線・パッド形成、ウェハ全面めっき、
保護膜形成、ダイシングなどの追加工程にも
柔軟に対応いたします。
ウェハ・基板へのバンプめっき、微細加工、
微小部品めっきについて
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